طراحی تقویت کننده کم نویز با خطینگی بالا مبتنی بر روش پسا اعوجاج

تقویت کننده های کم نویز یکی از بلوک های اساسی در سیستم های فرستنده/گیرنده در مخابرات بی سیم هستند. کوچک شدن ترانزیستورها و کاهش ولتاژ منابع تغذیه موجب بدتر شدن خطینگی تقویت کننده های کم نویز شده، لذا یافتن راهکارهای بهبود خطینگی یکی از دغدغه های طراحان است. در این مقاله، یک تقویت کننده کم نویز در باند فرکانسی ۰.۸-۲.۶ GHz برای کاربردهای چند منظوره ارائه شده است. ساختار به کار رفته در این مدار، آرایش کسکود بوده که ایزولاسیون معکوس مناسبی را در مقایسه با آرایش C.S. ایجاد نموده و پایداری بهتری را در بهره های بالا عرضه می کند. برای افزایش خطینگی از یک ترانزیستور کمکی با ساختار پسا اعوجاج استفاده شده، که در قیاس با روش جمع آثار مشتقات از نظر پارامتر 〖IIP〗_۳ بهبود بیشتری را ایجاد می کند. همچنین عدم اتصال ترانزیستور کمکی به گره ورودی در این ساختار، باعث شده در تطبیق ورودی تاثیر منفی ایجاد نشود. شبیه سازی ها با استفاده از نرم افزار ADS و با تکنولوژی ۰.۱۸µm CMOS انجام و نتایج ارائه شده است.

کلیدواژه ها:

تقویت کننده کم نویز ، پسا اعوجاج ، جمع آثار مشتقات ، خطینگی