مهاجرت یون در سلولهای خورشیدی پروسکایتی با در نظر گرفتن تغییرات نرخ اسکن بر شاخص پسماند
محل انتشار: دهمین کنفرانس ملی خلا ایران
سال انتشار: 1400
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 468
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCV10_022
تاریخ نمایه سازی: 5 خرداد 1401
چکیده مقاله:
مهاجرت یونی به عنوان علت احتمالی پسماند جریان- ولتاژ فتوولتاییک در سلولهای خورشیدی پروسکایتی پیشنهاد شده است. در این جا، شبیه سازی دو ساختارقطعه کاتد پایین و کاتد بالا با نرخ اسکن متفاوت با استفاده از یک مدل رانش- انتشار وابسته به زمان یک بعدی انجام شده است. نتایج نشان میدهد که برای مشاهدهپسماند هم مهاجرت یون و هم بازترکیب در اتصالات مورد نیاز است که بیان میکند با تغییر نرخ اسکن از مقدار ۰/۱Vs-۱ به ۰/۰۱Vs-۱، حرکت یون به درستی اتفاقنمی افتد و به دلیل تغییر ولتاژ نسبت به زمان، پدیده گذرای مهاجرت یونی صورت نمی گیرد و در نتیجه شاخص پسماند کاهش می یابد.
نویسندگان
بهنام عسگری
دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه صنعتی قم، قم
محمدرضا فتح الهی
دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه صنعتی قم، قم
محمدحسین زارع
دانشکده مکانیک، دانشگاه صنعتی قم، قم
محسن عامری
مرکز تحقیقات و کاربرد انرژی خورشیدی، دانشگاه فنی خاورمیانه، آنکارا، ترکیه