مهاجرت یون در سلولهای خورشیدی پروسکایتی با در نظر گرفتن تغییرات نرخ اسکن بر شاخص پسماند

سال انتشار: 1400
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 403

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NCV10_022

تاریخ نمایه سازی: 5 خرداد 1401

چکیده مقاله:

مهاجرت یونی به عنوان علت احتمالی پسماند جریان- ولتاژ فتوولتاییک در سلولهای خورشیدی پروسکایتی پیشنهاد شده است. در این جا، شبیه سازی دو ساختارقطعه کاتد پایین و کاتد بالا با نرخ اسکن متفاوت با استفاده از یک مدل رانش- انتشار وابسته به زمان یک بعدی انجام شده است. نتایج نشان میدهد که برای مشاهدهپسماند هم مهاجرت یون و هم بازترکیب در اتصالات مورد نیاز است که بیان میکند با تغییر نرخ اسکن از مقدار ۰/۱Vs-۱ به ۰/۰۱Vs-۱، حرکت یون به درستی اتفاقنمی افتد و به دلیل تغییر ولتاژ نسبت به زمان، پدیده گذرای مهاجرت یونی صورت نمی گیرد و در نتیجه شاخص پسماند کاهش می یابد.

نویسندگان

بهنام عسگری

دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه صنعتی قم، قم

محمدرضا فتح الهی

دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه صنعتی قم، قم

محمدحسین زارع

دانشکده مکانیک، دانشگاه صنعتی قم، قم

محسن عامری

مرکز تحقیقات و کاربرد انرژی خورشیدی، دانشگاه فنی خاورمیانه، آنکارا، ترکیه