بررسی میزان بهبود بازده الکتریکی پانل های فتوولتائیک با نانو خنک کاری سیال

سال انتشار: 1399
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 143

فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

CEMCONF03_043

تاریخ نمایه سازی: 3 خرداد 1401

چکیده مقاله:

امروزه یک راه حل برای رفع نیازهای انرژی، استفاده از سیستمهای فتوولتائیک برای تبدیل انرژی خورشیدی به انرژی الکتریکی است. سلولهای فتوولتائیک بخش کمی از انرژی تابشی خورشیدی جذب شده را مستقیم به انرژی الکتریکی تبدیل میکنند و بخش زیادی از آن را به صورت انرژی حرارتی هدر میدهند که باعث بالا رفتن دمای سلولها میشود. سلولهای فتوولتائیک مهمترین قسمت سیستمهای فتوولتائیک هستند. بازده سیستمهای فتوولتائیک با افزایش دمای سلولهای فتوولتائیک کاهش مییابد. برای بهبود کارایی و راندمان این سیستمها باید دمای سلولهای فتوولتائیک را تا حد امکان کاهش داد. سیستمهای خنک کاری مختلفی از سوی محققین مختلف ارائه شده و به نتایج مختلفی رسیده اند. در این پژوهش یک سیستم خنک کاری عبور نانو سیال از پشت پانل، مدلسازی شده و با نتایج آزمایشات دیگر محققان اعتبار سنجی گردید. نتایج اعتبار سنجی با نتایج آزمایشات قبل به خوبی مطابقت داشتند. در این سیستم، نانو سیال درون لوله ها، پشت پانل با دبی مشخص در حال عبور است. نانو سیال پس از عبور از لوله ها به داخل مخزن می ریزد ومجددا به سیستم باز میگردد. در این پژوهش اثر پارامترهای گوناگون بر عملکرد سیستم به منظور بهینه سازی کارایی آن بررسی شده است. نتایج حاصل از مدلسازی نشان میدهد که راندمان و توان خروجی پانل با استفاده از سیستم خنک کاری، افزایش قابل توجهی داشته است.

کلیدواژه ها:

نویسندگان

مجتبی بیگ زاده عباسی

استادیار، مهندسی مکانیک، دانشگاه صنعتی سیرجان، سیرجان سیرجان، صندوق پستی ۷۸۱۳۷۳۳۳۸۵

نسرین امینی زاده

استادیار، مهندسی مکانیک، دانشگاه صنعتی سیرجان، سیرجان

محمد احمدی زیدآبادی

کارشناسی ارشد ، مهندسی مکانیک، دانشگاه شهید باهنر کرمان، کرمان

راضیه بیگ زاده عباسی

دانشجوی دکتری، مهندسی مکانیک، دانشگاه علم و صنعت ایران، تهران