تاثیر زمان حرارت دهی دررشد نانوسیم های اکسید تنگستن برروی ورق تنگستن

دراینمقاله رشد نانوسیم های اکسید تنگستن درحضور هیدروکسید پتاسیم 0/7 مولار به عنوان کاتالیست برروی ورق تنگستن طی دومرحله حرارت دهی بررسی می شود نمونه ها درمرحله اول دردمای 390 درجه و سپس در مرحله دوم دردمای 600 درجه سانتی گرادحرارت داده می شوند مرحله اول مرحله ای تعیین کننده برای رشد نانوسیم ها می باشد زیرا باعث می شود تا هیدروکسید پتاسیم بطور تقریبا یکنواخت روی ورق تنگستن پخش شده و زمینه رشد نانوسیم ها مهیا می شود سازوکار رشد نانوسیم ها به صورت بخار - مایع ت جامد VLS می باشد نانوسیم های تولید شده در زمانهای مختلف درمرحله دوم حرارت دهی توسط آنالیزهای مختلفی از قبیل XRD / FE-SEM و XPS مورد مطالعه قرارگرفتند بهترین زمان برای رشد مناسب زمان 2 ساعت دردمای 600درجه می باشد که قطر نانوسیم ها درحدود 90-50 نانومتر و طول آنها تا چندمیکرومتر تخمین زده شده است اکثریت نانوسیم های رشد یافته ساختاری بلوری راست لوزی K2W6O19 درراستای صفحه 002 را دارند

کلیدواژه های تاثیر زمان حرارت دهی دررشد نانوسیم های اکسید تنگستن برروی ورق تنگستن:

اکسید تنگستن ، هیدورکسید پتاسیم ، SEM VLS