بررسی خواص ساختاری و الکترونی Co2MnSn و فیلم لایه نازک Co2MnSn(001
محل انتشار: اولین همایش نانومواد و نانوتکنولوژی
سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,317
فایل این مقاله در 11 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCNN01_074
تاریخ نمایه سازی: 17 اردیبهشت 1391
چکیده مقاله:
ترکیبات هویسلر کاربرد وسیعی درصنعت اسپینترونیک دارند ترکیب هویسلر Co2MnSn درفاز مغناطیسی پایدارتر از فاز غیرمغناطیسی آن است فشارگذار محاسبه شده برای انتقال فاز از فاز مغناطیسی به غیرمغناطیسی 7.39(GPa)محاسبه شده است این ترکیب دارای دمای دبای بالا و پایداری الاستیکی مناسبی است درحالت تعادل Co2MnSn نیم فلز است و دراسپین اقلیت حالات الکترونی سطح فرمی را قطع نمی کنند اما تحت فشار اندازه گاف نواری تغییر می کند ودرفشارهای منفی حالات الکترونی سطح فرمی را قطعه می کنند با استفاده از تقریب GGA دربررسی منحنی چگالی حالات الکترونی فیلم لایه نازک Co2MnSn(001خاصیت نیم فلزی از بین رفته است ممان مغناطیسی محاسبه شده برای این نانو ساختار 49.55 مگنتون بوهر میب اشد انرژی چسبندگی فیلم لایه نازک -2.3eV Co2MnSn(001 می باشد که نشاندهنده پایداری این نانوساختار است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
آرش بوچانی
آموزشکده فنی حرفه ای سما دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمانشاه ایران