کاشت یون نیتروژن برروی گرافیت و بررسی تشکیل نیترید کربن نانوساختار

به علت افزایش روزافزون صنعت میکروالکترونیک به افزاری که در دمای بالا کار می کند نیاز به موادی می باشد که درمحدوده دمای بالا قادر به فعالیت باشند C3N4 از جمله موادی استکه دارای سختی و هدایت گرمایی بالایی بوده و دردماهای بالا پایدار است و لذا نیاز این صنعت را برآورده می کند دراین پروژه زیرلایه های گرافیتی پس از سایش سطحی توسط دستگاه کاشت یون با یونهای نیتروژن درانرژی یکسان و دزهای مختلف تحت بمباران قرارگرفته و تشکیل ترکیب نیترید کربن می دهدکه با روشهای AFM, TEM XRD وRaman مورد بررسی قرارخواهد گرفت انتظار میرود طیف حاصل از پراش ماده فوق با یکی از کارتهای C3N4 درپایگاه داده XRD مطابقت داشته باشد.