مدار مرجع ولتاژ با توان مصرفی کم مورد استفاده در تگ های غیرفعال RFID

سال انتشار: 1400
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 165

فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

JR_JICTP-2-7_010

تاریخ نمایه سازی: 22 فروردین 1401

چکیده مقاله:

در جهت افزایش بازه کد خوانی و کنترل از فاصله دورتر، می بایست بلوک های موجود بر روی تراشه تگ RFID مصرف توان کمی داشته باشند. در این مقاله یک مدار مرجع ولتاژ با ولتاژ تغذیه ۱V به عنوان یکی از بلوک های مهم در تگ RFID برای کاربردهای پلیس هوشمند ارائه شده است. در ساختار مرجع ولتاژ پیشنهادی ترانزیستورهای ماسفت در ناحیه زیرآستانه هدایت شده اند. برای تولید ولتاژ معکوس با دمای مطلق (CTAT)، از ولتاژ یک اتصال pn (PN junction) که توسط یک ترانزیستور PMOS ایجاد شده و بخشی از مدار بایاس می باشد، استفاده شده است. جهت دستیابی به ولتاژ مرجع خروجی در حدود ۷۵۳mV، دو طبقه ولتاژ متناسب با دمای مطلق(PTAT) تفاضلی به ولتاژ CTAT اضافه شده و یک ولتاژ مرجع با حداقل وابستگی به دما را ایجاد می کنند. مرجع ولتاژ پیشنهادی در فرآیند ۰.۱۸ میکرومتر CMOSشبیه سازی و مساحت جانمایی آن ۰.۰۰۶۴ میلی متر مربع محاسبه شده است. نتایج شبیه سازی پساجانمایی نشان می دهد که در بازه دمایی ۰ تا ۱۱۰ درجه سانتیگراد ضریب دمایی (TC)، ℃/۱۹.۷ ppm حاصل می شود. تنظیم خط (LR) در محدوده ولتاژ تغذیه ۰.۸V تا ۱.۲V برابر با ۰.۰۵۸ درصد بر ولت است. همچنین جریان مصرفی مرجع ولتاژ ۱۳.۲nA بدست آمده است.

نویسندگان

حسین رعیت

کارشناسی ارشد مهندسی برق، دانشکده فنی و مهندسی ، دانشگاه صنعتی خاتم الانبیاء بهبهان

رضوان داستانیان

استادیار گروه مهندسی برق، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه صنعتی خاتم الانبیاء بهبهان