ضرب کننده آنالوگ چهار ربعی با پاسخ فرکانسی بالا

ترانزیستور نانولوله کربنی اثر میدانی ( CNFET ) یک فن آوری امیدوار کننده و جدید است که به محدودیتهای سنتی تکنولوژی سیلیکون مدار مجتمعغلبه می کند.  در سال های اخیر، از پتانسیل CNFET برای کاربرد در مدار آنالوگ  استفاده شده است. در این مقاله یک ضرب کننده چهار ربعی آنالوگبا استفاده از CNFETs. طراحی شده است. شبیه سازی را بر اساس تکنولوژی CNFET ۳۲nm نشان می دهد کهضرب کنندهدارای اعوجاج هارمونیک بسیار کم ( کمتر از ۰.۴۵٪ ) ، محدوده ورودی بزرگ (mv۴۰۰± ) ، پهنای باند بزرگ(~GHz ۵۰ ) وتوان مصرفی پایین (~μW ۲۴۷ )، در حالی که در ولتاژ تغذیه۰.۹±ولت است.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور نانولوله کربنی اثر میدانی ، تکنولوژی سیلیکون ، ضرب کننده چهار ربعی آنالوگ