بهینه سازی رشد نانومیله های یکنواختZnO بر روی بستر سیلیکون بذردار به روش رسوب حمام شیمیایی
سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 201
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_IJSSE-13-34_001
تاریخ نمایه سازی: 21 دی 1400
چکیده مقاله:
نانومیله های اکسیدروی به روش رسوب حمام شیمیایی (CBD) روی بستر سیلیکون بذردار به صورت عمودی و یکنواخت رشد داده شدند. از لایه نازک اکسیدروی که به روش کندوپاش بر روی بستر سیلیکونی لایه نشانی شد به عنوان لایه بذر استفاده شد. اثرات دما و زمان رشد بر خواص ساختاری و مورفولوژیکی نانومیله های اکسید روی با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی و پراش اشعه ایکس بررسی شد. مطالعات انجام شده نشان داد که استفاده از لایه نازک بذر تاثیر بسزایی در یکنواختی نانومیله های سنتز شده در روش CBD دارد. همچنین با بهینه سازی شرایط رشد می توان نانومیله های عمودی و یکنواختی را بر بستر سیلیکون ایجاد نمود. نانومیله های اکسید روی رشد داده شده با این روش بدون نیاز به فرآیند بازپخت با خواص ساختاری مناسب در محدوده وسیعی رشد داده شدند. با توجه به سازگاری سیلیکون با ادوات الکترونیکی، نانومیله های رشد یافته به این روش میتوانند در صنایع اپتوالکترونیک کاربرد زیادی داشته باشند.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
نیما نادری
پژوهشگاه مواد و انرژی، کرج، ایران
ابوذر مسعودی
پژوهشگاه مواد و انرژی، کرج، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :