تاثیر اشعه ماوراءبنفش UV همراه با آلودگی مصنوعی بر جریان نشتی مقره سیلیکون رابر بر اساس استاندارد 60507 IEC
محل انتشار: بیست و ششمین کنفرانس بین المللی برق
سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,203
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
PSC26_231
تاریخ نمایه سازی: 27 اسفند 1390
چکیده مقاله:
اشعه ماوراء بنفش یکی از عوامل محیطی موثر در تخری ب مقرههای سیلیکون رابر میباشد به همین جهت این مقاله ی ک تست آزمایشگاهی بر روی مقره سیلیکون رابر 20 کیلو ولت است که در محفظهای شامل 9 عدد لامپ ماوراء بنفش با شدت 50 وات بر متر مربع به مدت 5000 ساعت قرار گرفت و سپس آنالیز جریان نشتی همراه با آنالیز فوریه انجام گرفت . با توجه به اثرات مخرب اشعه ماوراء بنفش بر سطح مقره و کاهش خاصیت آبگریزی، محلول آلودگی بر اساس پیرساز ی مصنوعی لایه جامد طبق استاندارد 60507 IEC بر سطح مقره به صورت اسپری ریخته شد و مجددا تحت آزمون جریان نشتی قرار گرفته شد. نتایج استخراج شده در مقایسه با مقره- هایی که تحت تابش اشعه ماوراء بنفش نبودهاند نشان داد که اشعه ماوراء بنفش اثر مستقیم بر تضعیف خاص یت آبگریزی مقره و در نتیجه افرایش جری ان نش تی مقره دارد . همچن ین نتایج آنالیز فوریه نشان داد که با افز ایش آلودگی و ایجاد تخلیههای سطحی وجرقههای باند خشک ، هارمونیک سوم افزایش قابل توجهی دارد. همچنین جهت بررسی تخریب سطح مقره آزمایش TGA درپژوهشگاه پل یمر انجام شد و نتایج نیز تاثیر مخرب اشعه ماورابنفش را بر سطح مقره کاملا تایید میکند.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
ایمان احمدی جنیدی
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه تهران
علیرضا مجذوبی
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه تهران
امیرعباس شایگانی اکمل
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه تهران
حسین محسنی
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه تهران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :