تشخیص پرتودیدگی سیب زمینی به وسیله اندازه گیری امپدانس الکتریکی

در این کار پژوهشی، هویت سیب زمینی پرتودیده (نوع آلفا)، به وسیله امپدانس الکتریکی آن تعیین و بررسی شده است. اعمال جریان متناوبی حدود ۳ میلی آمپر همراه با تغییردادن بسامد آن توسط الکترودهای فلزی که درون برشی از سیب زمینی فروبرده می شود، سبب تغییر امپدانس آن شده و در بسامدهای خاصی تشخیص امکان پذیر می گردد. پارامترهای موردنظر عبارتند از: نسبت امپدانس ها از صفر تا ۱۸۰ ثانیه  (Z۰/Z۱۸۰)پس از قراردادن الکترود در نمونه، همچنین نسبت آنها در بسامدهای بالا (kHz۵۰) به بسامدهای پایین (kHz ۵، ۰.۵، ۰.۰۵). نتایج آزمایشها نشان می دهند که افزایش مقدار دز باعث افزایش امپدانس می شود، در صورتی که افزایش بسامد جریان موجب کاهش آن می گردد، به طوری که عملا تشخیص نمونه های پرتودیده در بسامدهای بالاتر از  kHz۵۰ امکان پذیر نخواهد بود. همچنین نسبت  Z۵۰k/Z۵kبه سبب بستگی داشتن به دز جذب شده و تغییرات اندک آن در مدت نگهداری نمونه ها بهترین پارامتر برای تعیین هویت نمونه های پرتودیده، حتی حدود ۶ ماه پس از پرتودهی است و می توان با آن مقدار دز را نیز برآورد کرد. از نتایج تجربی بدست آمده در بسامدهای ذکر شده نیز روابط ریاضی مناسبی که نمایانگر ارتباط امپدانس با دز جذب شده و دمای اندازه گیری باشد در قالب سه فرمول استنتاج شد. با این فرمولها می توان مقدار دز را در محدوده دمای اندازه گیری شده (°C۳۵ - ۲۰) با خطای حداکثر ۸ درصد برآورد کرد.

کلیدواژه ها:

بسامد ، امپدانس ، پارامتر تشخیص پرتودیدگی ، سیب زمینی پرتودیده