Prod uction and investiga tion of fo ur phase semiconductor layer(Al/AgNO ۳/glass) b y PVD me thod
محل انتشار: پانزدهمین سمینار شیمی فیزیک ایران
سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 93
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISPTC15_1049
تاریخ نمایه سازی: 11 دی 1400
چکیده مقاله:
According to the increasing a dvancement of nanotechnology an d ample use of nanostru cture layers in various fields like optic piece s, photic devices, solar cells, and biological d rugs; manufacturing better and more commodio us layers se ems necessary. In this s urvey, alum inum has be en layered and deposited on silve r nitrate on glass using PVD method. Atomic force microscope (AF M),X-ray diffraction( XRD), and Scanning electron microscope( SEM) analyses, and sp ectrophotometery were derived fr om this multi-layer, a nd through these analyses, the structure of the surface and the morphol ogy of theses layers were studied.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
s Gharanizade
Faculty of sc iences,Islamic Azad university,Urmia Bra nch,Urmia, Iran
h Kangarlou
Faculty of sc iences,Islamic Azad university,Urmia Bra nch,Urmia, Iran