پیش یابی و بررسی خواص الکتریکی نانو ساختار دوبعدی سیلیسیم ژرمانیم فسفید (۴SiGeP) با استفاده از روش ابتدا به ساکن
محل انتشار: مجله علوم و فنون هسته ای، دوره: 40، شماره: 4
سال انتشار: 1398
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 238
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JONSAT-40-4_009
تاریخ نمایه سازی: 8 دی 1400
چکیده مقاله:
این مقاله نانوساختار دوبعدی سیلیسیم ژرمانیم فسفید (۴SiGeP) را در فاز پنج گوشی با استفاده از محاسبه های ابتدا به ساکن مبتنی بر نظریه ی تابعی چگالی و با بهره گیری از نرم افزارهای وین و کوانتوم اسپرسو و متریالز استودیو پیش یابی نموده و خواص الکتریکی آن را مورد بررسی قرار می دهد. پایداری ترمودینامیکی، دینامیکی و گرمایی این نانوساختار به ترتیب با محاسبه ی انرژی همبستگی ساختار، نمودار پاشندگی فونونی و شبیه سازی دینامیک مولکولی ارزیابی و تایید شده است. نتیجه های محاسبه ها نشان میدهد که تک لایه ی سیلیسیم ژرمانیم فسفید یک نیم رسانای غیرمستقیم با گاف انرژی حدود eV ۹۵/۱ است که با اعمال کشش و کرنش دوبعدی قابل تنظیم است. ویژگی های منحصربه فرد این نانوساختار امکان استفاده از آن را در ابزارهای الکترونیکی در مقیاس نانو و به طور خاص در حسگرهای الکترومکانیکی فراهم می کند.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مصیب ناصری
۱. گروه فیزیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمانشاه، صندوق پستی: ۶۷۱۸۹۹۷۵۱، کرمانشاه ایران
جعفر جلیلیان
۲. گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه یاسوج، صندوق پستی: ۷۵۹۱۸۷۴۹۳۴، کرمانشاه ایران
خالد صالحی
۱. گروه فیزیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمانشاه، صندوق پستی: ۶۷۱۸۹۹۷۵۱، کرمانشاه ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :