The Role of Various Scattering Mechanisms in Hg_(۱-x) Cd_x Te (x=۰.۲۲, ۰.۳)
سال انتشار: 1400
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 278
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_TJEE-51-2_012
تاریخ نمایه سازی: 1 آذر 1400
چکیده مقاله:
An iteration computation was carried out to investigate electron transport properties in Hg۱-xCdxTe. We employed the modified iterative procedure which allows us to increase the computational accuracy in several structures. We considered deformation potential, polar optical phonon, piezoelectric, and ionized impurity scattering. Electron drift mobility is calculated for different temperature and doping dependencies. It was found that the electron drift mobility decreases with the temperature increases from ۱۰۰K to ۳۰۰K. Competitions among several temperature-dependent scattering mechanisms create temperature-dependent of MCT mobility. Furthermore, it was concluded that the x-dependence of the Hg۱-xCdxTe mobility results primarily from the x-dependence of bandgap, and secondarily the x-dependence of effective masses. In the case of low temperatures, the electron mobility quickly decreases with the increase of doping concentration, while this happens at a slower speed in the case of high temperatures.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
سمیه نجفی بوانی
Department of Physics, Payame Noor University (PNU), Tehran, Iran
محمد صادق آخوندی خضرآباد
Department of Physics, Payame Noor University (PNU), Tehran, Iran
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :