طراحی یک تقویت کننده کم نویز باند Ku با تکنیک خطی سازی جمع آثار مشتقات

سال انتشار: 1400
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 456

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

EMA01_027

تاریخ نمایه سازی: 24 آبان 1400

چکیده مقاله:

در این مقاله یک تقویت کننده کم نویز در گستره ی فرکانسی ۱۲ تا ۱۸ گیگاهرتز با استفاده از تکنولوژی ۰/۱۸μm CMOS طراحی و در نرم افزار ADS شبیه سازی شده است. تقویت کننده ی ارائه شده از ساختار استفاده مجدد از جریان پیروی می کند، تا مصرف توان حداقل شود. همچنین اثر چگالی جریان بر روی نویز و فرکانس قطع ترانزیستور بررسی شده است و سعی شده تا چگالی جریان بهینه برای طراحی تقویت کننده کم نویز انتخاب شود. از چند روش خطی سازی معرفی شده دو روش برگزیده شده است. در این روش ها سعی شده تا با کمک ترانزیستورهای NMOS و PMOS عوامل غیرخطی یعنی g'm و g''m و پارامتر IIP۳ تقویت کننده افزایش داده شود. پس از تحلیل این دو روش سعی شده که از آنها در تقویت کننده ی کمنویز طراحی شده استفاده و مطابق روابط به دست آمده شبیه سازی شود. همچنین با توجه به تاثیر مستقیم مصرف توان بر افزایش خطینگی مدار، ابتدا توان مصرفی مدار به نصف کاهش داده شده و پس از آن روش های خطینگی روی آن اعمال شده است.

کلیدواژه ها:

تقویت کننده کمنویز ، ساختار استفاده مجدد از جریان ، روش خطی سازی

نویسندگان

هدیه غلامپور دهسری

دانشکده مهندسی برق دانشگاه خاتم تهران، ایران

حامد خوش نیت

دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه صنعتی اراک اراک، ایران