یک تقویت کننده دو طبقه کم نویز بسیارباند پهن با استفاده از تکنولوژی mµ ۲.۰
سال انتشار: 1400
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 221
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NREAS03_070
تاریخ نمایه سازی: 16 آبان 1400
چکیده مقاله:
در این مقاله، یک تقویت کننده کم نویز بسیار باند پهن در محدوده فرکانسی ۱ تا ۶ گیگاهرتز ارائه شده است. عدد نویز آن در محدوده فرکانسی ۱ تا ۶ گیگا هرتز کم تر از ۴ و بهره حدودdB ۱۰ میباشد. برای داشتن تطبیق امپدانس ورودی و خروجی به ترتیب از ساختارهای گیت مشترک ودرین مشترک به عنوان تطبیق فعال استفاده شده است. تطبیق امپدانس ورودی و خروجی مدار در این محدوده، کم تر از dB ۱۰- می باشد. این مدار با استفاده از تکنولوژی HEMT ۲.۰ میکرومتر شبیه سازی شده است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
زینب یاراحمدی
دانشجوی مقطع کارشناسی ارشد گروه برق، موسسه آموزش عالی آفرینش علم گستر، بروجرد، ایران
امین الهیاری
عضو هیات علمی گروه مهندسی برق، موسسه آموزش عالی آفرینش علم گستر، بروجرد، ایران
جواد ابراهیمی
گروه مهندسی برق، موسسه آموزش عالی آفرینش علم گستر، بروجرد، ایران