یک تقویت کننده دو طبقه کم نویز بسیارباند پهن با استفاده از تکنولوژی mµ ۲.۰

در این مقاله، یک تقویت کننده کم نویز بسیار باند پهن در محدوده فرکانسی ۱ تا ۶ گیگاهرتز ارائه شده است. عدد نویز آن در محدوده فرکانسی ۱ تا ۶ گیگا هرتز کم تر از ۴ و بهره حدودdB ۱۰ میباشد. برای داشتن تطبیق امپدانس ورودی و خروجی به ترتیب از ساختارهای گیت مشترک ودرین مشترک به عنوان تطبیق فعال استفاده شده است. تطبیق امپدانس ورودی و خروجی مدار در این محدوده، کم تر از dB ۱۰- می باشد. این مدار با استفاده از تکنولوژی HEMT ۲.۰ میکرومتر شبیه سازی شده است.

کلیدواژه ها:

تقویت کننده کم نویز ، بسیار باند پهن ، تطبیق فعال ، HEMT