معرفی موجبر نامتقارن چهارگانه جدید و بررسی به کارگیری آن بر عملکرد لیزر نیمه رسانای مبتنی برGaN

در این مقاله، برای اولین بار، ساختار موجبری با نامتقارنی چهارتایی معرفی و تاثیر آن بر عملکرد یک لیزر نیمه رسانای متقارن آزمایشگاهی مبتنی بر-GaN مقایسه شدهاست. در موجبر پیشنهادی جدید برای بهبود عملکرد لیزر، ساختار متقارن مرسوم لیزر نیمه رسانا تغییر داده می شود. برای این منظور در سمت-p لیزر متقارن متداول در مقایسه با سمت-n آن یک نامتقارنی چهار گانه اعمال می گردد. مرحله اول شامل حذف لایه های موجبر و متوقف کننده نشت الکترونی در سمت-p لیزر ساخته شده است و پس از آن ضخامت، ترکیب و آلایش لایه کلدینگ نوع-p نسبت به لایه کلدینگ نوع-n تغییر داده می شود و عملکرد دو لیزر به صورت تئوری با استفاده از شبیه سازی سه بعدی مقایسه شده اند. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که ساختار پیشنهادی جدید عملکرد لیزر متقارن را به صورت موثری بهبود می بخشد. دلایل بهینگی نیز در این مطالعه مورد بررسی قرار می گیرند. تزریق موثرتر حفره ها دلیل اصلی بهبود عملکرد ساختار جدید است.

کلیدواژه ها:

لیزر دیود مبتنی برGaN ، شبیه سازی ، موجبر نامتقارن چهارگانه ، .PICS۳D