مبدل سطح ولتاژ سریع و کم توان بر اساس ساختار اتصال متقابل پشته ای بهبود یافته جهت کاربرد های کم توان و اینترنت اشیا
محل انتشار: فصلنامه صنایع الکترونیک، دوره: 12، شماره: 2
سال انتشار: 1400
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 368
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_SAIRAN-12-2_001
تاریخ نمایه سازی: 10 آبان 1400
چکیده مقاله:
در این مقاله یک مبدل سطح ولتاژ کم توان و سریع با محدوده تبدیل ولتاژ زیر آستانه به ولتاژ متعارف تکنولوژی هدف ارائه شده است. سریع و کم توان بودن مبدل پیشنهادی به دلیل ساختار اتصال متقابل پشته ای بهبود یافته است. به منظور کاهش بیشتر توان ناشی از جریان اتصال کوتاه، در خروجی از یک معکوس کننده با ورودی های مجزا استفاده شده است. برای کاهش سوئینگ ولتاژ در حلقه فیدبک، و ایجاد اختلاف بین زمان روشن و خاموش شدن ترانزیستور های خروجی از ترانزیستور های اتصال دیودی در حلقه فیدبک استفاده شده است. نتایج شبیه سازی Post-layout در تکنولوژی استاندارد ۱۸۰ nm CMOS نشان می دهند که مبدل پیشنهادی می تواند در تبدیل ۴/۰ ولت به ۸/۱ ولت در فرکانس یک مگاهرتز با توان مصرفی ۲۳/۸۹ نانووات و تاخیر انتشار ۶۸/۲۳ نانوثانیه صورت صحیح عمل نماید. این مدار با توجه به توان کم و رنج ولتاژهای کارکردی برای کاربردهای برچسب های اینترنت اشیا بخصوص در بخش جداسازی نواحی کم مصرف و با ولتاژ پایین از بخش های پر مصرف و با ولتاژ بالا قابل استفاده است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
زهرا اسدی
بخش برق دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه شاهد
محمد باقر غزنوی قوشچی
بخش برق دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه شاهد