تحلیل و مقایسه سلول های اسنابر پسیو با اتلاف و بدون اتلاف جهت حفاظت مبدل SEPIC
محل انتشار: فصلنامه صنایع الکترونیک، دوره: 12، شماره: 1
سال انتشار: 1400
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 321
فایل این مقاله در 17 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_SAIRAN-12-1_009
تاریخ نمایه سازی: 28 مهر 1400
چکیده مقاله:
در این مقاله، به بررسی مبدل (SEPIC) که یک مبدل منبع جریانی با سلف ورودی و خروجی واحد می باشد، پرداخته می شود. در ابتدا مدار SEPIC متداول مورد بررسی قرار گرفته و چند مدار اسنابر جهت بهبود کارایی این مبدل معرفی می گردد. در این اسنابرها با استفاده از روش "کلیدزنی نرم" سعی می شود تا در لحظه وصل شدن کلید، نرخ افزایش جریان di⁄dt و در لحظه قطع شدن کلید، نرخ افزایش ولتاژ dv⁄dt مهار شود. از آنجا که جهت افزایش بهره ولتاژ و جداسازی الکتریکی، بهتر است که قسمت های ورودی و خروجی مدار با یک ترانس از هم جدا شوند، در ادامه، مدار SEPIC ایزوله معرفی شده و مورد بررسی قرار می گیرد. در این شرایط، با وجود ترانسفورماتور، استرس های ولتاژی بر روی کلید اصلی مدار شدت بیشتری یافته و نیاز به استفاده از مدارات محافظ یا اسنابر ضرورت پیدا می کند. در این راستا، مدارات اسنابر متعددی برای مبدل SEPIC ایزوله، معرفی شده و با یکدیگر مقایسه می گردند. در این مقاله، تحلیل مدارات اسنابر فوق انجام گرفته و همچنین شکل موج های خروجی، حاصل از شبیه سازی در نرم افزار Orcad Capture، ارائه می شوند.
کلیدواژه ها:
مبدل های سلف اولیه تک سر (SEPIC) ، شبکه کلیدزنی نرم ، حالت هدایت پیوسته ، حالت هدایت گسسته ، مهارکنندگی فعال
نویسندگان
علیمحمد محمدپور بهبید
دانشگاه صنعتی مالک اشتر
آرش دهستانی کلاگر
دانشگاه صنعتی مالک اشتر- مجتمعدانشگاهی برق و کامپیوتر- پژوهشکده الکترونیک
محمد رضا علیزاده پهلوانی
مجتمع دانشگاهی برق و کامپیوتر - دانشگاه صنعتی مالک اشتر