ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی: بررسی مزایا، چالش ها و کاربردها

امروزه با توجه به نیاز روز افزون افزایشی به تراشه هایی با ابعاد کوچکتر استفاده از ترانزیستورها در ابعاد میکرو و نانو در صنعت الکترونیک تبدیل به امری ضروری شده است. همچنین در دهه گذشته، تاکید طراحان مدارات مجتمع، حرکت به سمت فناوری نانو به جهت مصرف توان کم و پردازش سریعتر بوده است. به همین جهت محققین به دنبال جایگزینی برای ترانزیستورهای معمولی هستند تا بتوانند طبق نظریه مور در یک تراشه، چندین میلیارد ترانزیستور در ابعاد نانو قرار دهند ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی CNTFET، به خاطر تشابه ساختاری با ترانزیستورهای مبتنی با سیلیکون، افزایش سرعت سوئیچینگ، توان مصرفی کمتر و بازده بالاتر جایگزین مناسبی برای نسل پیشین ترانزیستورها می باشد. در این مقاله نخست به معرفی نانولوله کربن CNT و مزیت های آن و اینکه چرا در ساختار ترانزیستور از آن استفاده می شود و سپس به بررسی و تحلیل CNTFET و نحوه عملکرد انواع مختلف آن خواهیم پرداخت

کلیدواژه ها:

ترانزیستور ، CNT ، CNTFET ، ترانزیستور های نانو لوله کربنی ، نانو لوله کربن