آنالیز و بررسی چگونگی تاثیر مواد مختلف دوبعدی دی کالکوژن WS۲ و WTe۲ و MoS۲ بر روی رفتار ترانزیستور MOSFET

در این مقاله ترانزیستور MOSFET بر پایه مواد دو بعدی دی کالکوژن را به صورت انتقال کوانتومی بررسی می کنیم اینجا ترانزیستور MOSFET را با مواد دو بعدی دی کالکوژن MX۲، MoS۲، WTe۲، WS۲ شبیه سازی می شود .مواد دو بعدی دی کالکوژن به دلیل اینکه باند گپ مناسب و کوچکی در دو حالت تک لایه و چند لایه دارند انتخاب شده اند. شبیه سازی با استفاده از روش تنگ بست (tight binding) و با استفاده از ماتریس همیلتونی و تابع گرین NEGF انجام شده است . همچنین اثر طول و عرض گیت با این سه ماده ی متفاوت بررسی می شود

کلیدواژه ها:

تابع گرین NEGF ، ترانزیستور WTe۲ ، WS۲ ، MoS۲ ، MOSFET ، روش تنگ بست (tight binding) ، ماتریس همیلتونی ، مواد دوبعدی دی کالکوژن