فناوری SOI مزایا ، مشکلات و کاربردهای آن

سال انتشار: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 2,318

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ISCEE10_035

تاریخ نمایه سازی: 7 آذر 1390

چکیده مقاله:

در دهه های اخیر فناوری الکترونیک حالت جامد توسعه چشمگیری داشته است سیلیسیم همواره بخشعمده صنایع نیمههادی را به خود اختصاص داده است در میان فناوریهای مختلف مبتنی بر سیلیسیم فناوری SOI از جایگاه ویژه ای برخوردار بوده است دراین فناوری یک لایه نازک اکسید مدفون بر روی ویفر سیلیسیمی نشانده می شود و سپس یک لایه سیلیسیمی نازک و یا ضخیم برروی آن قرار میگیرد دو روشاساسی پیوند ویفر و SIMOX برای ساخت SOI وجو د دارد البته ویفرهای ساخته شده به روش پیوند ویفرکیفیت بالاتری نسبت به SIMOX دارند به خاطر وجود مزایایی که ساختار SOI نسبت به SI دارد این ساختار برای ساخت مدارات مجتمع استفاده می شود.

نویسندگان

مریم نیری

عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی یزد

مهدیه نیری

عضو باشگاه پژوهشگران جوان دانشگاه آزاد اسلامی واحدی زد

زینب السادات مظفری

عضو باشگاه پژوهشگران جوان دانشگاه آزاد اسلامی واحدی زد

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • .J. Gard, "MO SFETSOI" , llinais institute of techno logy, ...
  • .M.B elleville, O .Faynot, "Low Power SI Design" _ Silic ...
  • .R.Chauetal , "A50 nm depleted- substrate Cmo sTransistor" , inIEDMTech. ...
  • .Z.Krivokapic, _ manu facturability Of 20-nm ultrathin body FullyDepleted SOI ...
  • .A.Neve, D .Flandre, J. Qui s qu ater"Feasibility Of Smart ...
  • _ Krishnan, Fo Ssum, "Grasping SOI floating- body effects", IEEE ...
  • .X. Tang, N .Reckinger, V.B ayot, "Fabrication Devices" , Science ...
  • Technology of soi structures, 2005 _ ...
  • نمایش کامل مراجع