بررسی عملکرد آنالوگ ترانزیستورهای FD SOI با تکنولوژی دو گیت عایق شده فلزی در مقیاس نانو برای کاربردهای فرکانس بالا

ساختارهای ماسفت کاملا تخلیه شده سیلیکون بر روی عایق (FD SOI) به دلیل مصونیت نسبت به اثرات مختلف کوچک سازی و پیچیدگی کمتر در طراحی، در مقایسه با سایر ساختارهای ماسفت مانند FinFET ، مورد توجه چشمگیر قرار گرفته اند. در این مطالعه ، به منظور بررسی کاربردهای آنالوگ کم مصرف و فرکانس بالا ، ماسفت FD SOI معمولی با یک افزاره دو گیتی مورد مقایسه و تجزیه و تحلیل قرار گرفته است. مشخص گردید که ساختار FD SOI دو گیتی عایق شده با دو فلز، ضمن ارایه هدایت انتقالی بالاتر، فرکانس قطع بیشتری را همراه با ظرفیت خازنی کمتر در مقایسه با افزاره های موجود در همان فناوری نشان می دهد. تمام این مطالعات با استفاده از شبیه ساز ATLAS TCAD انجام شده است.

کلیدواژه ها:

ترانزیستورهای کاملا تخلیه شده سیلیسیم روی عایق ، ترانزیستورهای دوگیتی ، فرکانس قطع بالا ، ضریب دی الکتریک بالا