ورود
مقالات فارسیISIکنفرانسهاژورنالها

ارزیابی تغییرات جریان نشتی دیود سیلیکونی در معرض تابش نوترون های راکتور با استفاده از محاسبات دینامیک مولکولی

محل انتشار: فصلنامه فناوری و انرژی هسته ای، دوره: 1، شماره: 1
سال انتشار: 1397
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 247

فایل این مقاله در 12 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:
https://civilica.com/doc/1268787

شناسه ملی سند علمی:

JR_NUCTE-1-1_003

تاریخ نمایه سازی: 24 شهریور 1400

چکیده مقاله:

در این کار تغییرات جریات نشتی در یک دیود سیلیکونی ، به عنوان آرایه اصلی بسیاری از قطعات الکترونیکی، در معرض تابش نوترون های یک راکتور نوعی مورد بررسی قرار گرفته است. به منظور تعیین طیف PKA  از کد مونت کارلوی MCNPX برای محاسبه اتلاف انرژی غیریونیزان در قطعه استفاده شده است. در این کار از رویکرد محاسبات دینامیک مولکولی برای بدست آوردن تعداد نقص های ایجاد شده ناشی از برخورد طیف نوترون های راکتور در یک قطعه دیود سیلیکونی استفاده شده است.  شبیه­سازی پارامترهای الکتریکی این قطعه و بررسی تغییرات آن­ها در معرض نوترون های راکتور نیز توسط نرم­افزار SILVACO انجام شده است. نتایج نشان می­دهد که جریان نشتی با برخورد نوترون­ها با محتملترین انرژی PKA در حدود ۸۲/۶ برابر مقدار آن قبل از تابش افزایش پیدا کرده و به حدود  nA/µm ۵۴/۳ می­رسد.

کلیدواژه ها:

جریان نشتی- دیود سیلیکونی- دینامیک مولکولی- MCNPX ، طیف نوترون راکتور

نویسندگان

سارا شوریان

دانشگاه شهید بهشتی

حمید جعفری

دانشگاه شهید بهشتی

سید امیر حسین فقهی

دانشگاه شهید بهشتی

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • "F. Honniger, “Radiation Damage in Silicon - Defect Analysis and ...
  • "S. Shoorian, H. Jafari, S.A.H. Feghhi, “Investigating and Calculating of ...
  • "J. R. Srour, Fellow, Cheryl J. Marshall, and Paul W. ...
  • "D. S. Billington and J. H. Crawford Jr.، "Radiation Damage ...
  • "G. P. Mueller, N. D.Wilsey, and M. Rosen، "The structure ...
  • "J. R. Srour, Fellow, IEEE, Cheryl J. Marshall, Member, IEEE, ...
  • "J. Srour، "Permanent Damage Introduced by Single Particles Incident on ...
  • "J. R. Srour, Fellow, IEEE, and J. W. Palko، "A ...
  • "Hong Li a, et all. "The evolution of interaction between ...
  • "S. Shoorian, H. Jafari, S.A.H. Feghhi, “Investigating and calculating the ...
  • ""LAMMPS Documentation،" ۱۶ Jul ۲۰۱۸ version." ...
  • "Cassio Stein Moura, Livio Amaral، "Molcular dynamics simulation of silicon ...
  • L. A. N. Laboratory, "Monte Carlo N-Particle Transport Code System ...
  • خ. ح. ش. م. زمانی مجید, "محاسبه طیف و شار ...
  • "Silvaco International, ATLAS (vol I & II) User's Manual, (http://www.silvaco.com/)." ...
  • "W. Shockley, W.T. Read، "Statistics of the Recombinations of Holes ...
  • "S. A. El-Mongy، A Monte Carlo Simulation for Estimating of ...
  • "Alyson D. Topper, Michael J. Campola, Dakai Chen, Megan C. ...
  • S. Selberherr, Computational microelectronicsComputational microelectronics ...
  • [Online]. Available: https://en.wikipedia.org/wiki/Semiconductor_detector ...
  • F. Honniger, Radiation Damage in Silicon - Defect Analysis and ...
  • J. R. Srour, Fellow, IEEE, Cheryl J. Marshall, Member, IEEE, ...
  • Hong Li a, Yuan Qin a, Yingying Yang a, Man ...
  • ATLAS User Manual ...
  • H. Jafari,S.A.H.Feghhi, "Analyticalmodelingforgammaradiationdamageon," ScienceDirect ...
  • J.D. Dowell, R.J. Homer, I.R. Kenyon, G. Mahout!, S.J. Oglesby, ...
  • A. Akkermana, J. Baraka, M.B. Chadwickb, J. Levinsona, M. Murata, ...
  • W. Shockley, W.T. Read, "Statistics of the Recombinations of Holes ...
  • [Online]. Available: http://www.trad.fr/en/space/omere-software/ ...
  • d. Krammer, "The silicon inner tracker of CMS: Construction, organization ...
  • [Online]. Available: https://home.cern/science/experiments/atlas ...
  • "J. R. Srour, Fellow, IEEE, Cheryl J. Marshall, Member, IEEE, ...
    • نمایش کامل مراجع