بررسی پیشرفت های اخیر در ساخت عناصر نیمه رسانای جدید GaN با ولتاژ شکست بالا

با توجه به کاربرد سیلیکون در مهندسی الکترونیک و کامپیوتر طی سالهای متمادی این فناوری به مرزهای توانایی خود نزدیک شده است. درنتیجه از دهه گذشته تحقیق بر روی مواد جایگزین آغاز شده است. در میان گزینه های مختلف گالیوم نیترید )GaN( به خاطر ویژگیهای منحصر به فردش مانند فاصله انرژی و ولتاژ شکست بالا گزینه مناسبی برای کاربرد در سیستمهای فرکانس بالا و توان بالا به نظر میرسد. در این تحقیق ابتدا ضمن بررسی ساختار معمول جانبی ۱ برای ترانزیستورهای اثر میدانی GaN، ساختار عمودی و همچنین ساختار عمودی با گیت شیاردار این ترانزیستورها بررسی میشود. در ادامه نیز ساختار دیودهای قدرت دایروی مرور میگردد و سپس تاثیر قرار دادن حلقه حفاظتی در ساختار این دیودها به منظور افزایش ولتاژ شکست آنها بررسی می شود.

کلیدواژه ها:

گالیوم نیترید )GaN( ، ترانزیستور اثر میدان گالیوم نیترید با تحرک پذیری بالای الکترون )۲GaN-HEMT( ، ساختار عمودی ، گیت شیاردار