سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

ورود
مقاله فارسیISIکنفرانسهاژورنالها

بررسی اثر اضافه نمودن لایه پنجره و لایه میدان سطح پشتی از جنس InxGa(1-x)P به سلول خورشیدی تک اتصالی GaAs

محل انتشار: سومین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران
سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,040

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دانلود نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:
https://civilica.com/doc/125496

شناسه ملی سند علمی:

ICEEE03_265

تاریخ نمایه سازی: 18 مهر 1390

چکیده مقاله بررسی اثر اضافه نمودن لایه پنجره و لایه میدان سطح پشتی از جنس InxGa(1-x)P به سلول خورشیدی تک اتصالی GaAs

دراین مقاله سعی بر آن شده است که ابتدا پارامترهای مهم سلول خورشیدی تک اتصالی GaAs که از یک اتصال ساده p-n تشکیل شده است را بدست آوریم سپس اثر اضافه نمودن لایه های پنجره و میدان سطح پشتی Back Surface Field) از جنس InxGa(1-x)P به ترتیب در بالا و پایین قطعه موردبررسی قرار دهیم

کلیدواژه های بررسی اثر اضافه نمودن لایه پنجره و لایه میدان سطح پشتی از جنس InxGa(1-x)P به سلول خورشیدی تک اتصالی GaAs:

سلول خورشیدی ، GaAs ، InxGa(1-x)P ، لایه پنجره ، لایه میدان سطح پشتی

نویسندگان مقاله بررسی اثر اضافه نمودن لایه پنجره و لایه میدان سطح پشتی از جنس InxGa(1-x)P به سلول خورشیدی تک اتصالی GaAs

احمد تقی نیا

دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی

مرتضی فتحی پور

دانشکده برق وکامپیوتر دانشگاه تهران

فواد یزدی

دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی

مقاله فارسی "بررسی اثر اضافه نمودن لایه پنجره و لایه میدان سطح پشتی از جنس InxGa(1-x)P به سلول خورشیدی تک اتصالی GaAs" توسط احمد تقی نیا، دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی؛ مرتضی فتحی پور، دانشکده برق وکامپیوتر دانشگاه تهران؛ فواد یزدی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی نوشته شده و در سال 1390 پس از تایید کمیته علمی سومین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله سلول خورشیدی، GaAs ، InxGa(1-x)P ، لایه پنجره، لایه میدان سطح پشتی هستند. این مقاله در تاریخ 18 مهر 1390 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 1040 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که دراین مقاله سعی بر آن شده است که ابتدا پارامترهای مهم سلول خورشیدی تک اتصالی GaAs که از یک اتصال ساده p-n تشکیل شده است را بدست آوریم سپس اثر اضافه نمودن لایه های پنجره و میدان سطح پشتی Back Surface Field) از جنس InxGa(1-x)P به ترتیب در بالا و پایین قطعه موردبررسی قرار دهیم ... . برای دانلود فایل کامل مقاله بررسی اثر اضافه نمودن لایه پنجره و لایه میدان سطح پشتی از جنس InxGa(1-x)P به سلول خورشیدی تک اتصالی GaAs با 4 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.