بررسی اثر اضافه نمودن لایه پنجره و لایه میدان سطح پشتی از جنس InxGa(1-x)P به سلول خورشیدی تک اتصالی GaAs
محل انتشار: سومین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران
سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,045
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE03_265
تاریخ نمایه سازی: 18 مهر 1390
چکیده مقاله:
دراین مقاله سعی بر آن شده است که ابتدا پارامترهای مهم سلول خورشیدی تک اتصالی GaAs که از یک اتصال ساده p-n تشکیل شده است را بدست آوریم سپس اثر اضافه نمودن لایه های پنجره و میدان سطح پشتی Back Surface Field) از جنس InxGa(1-x)P به ترتیب در بالا و پایین قطعه موردبررسی قرار دهیم
کلیدواژه ها:
نویسندگان
احمد تقی نیا
دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی
مرتضی فتحی پور
دانشکده برق وکامپیوتر دانشگاه تهران
فواد یزدی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی