ورود
مقالات فارسیISIکنفرانسهاژورنالها

شبیه سازی و بررسی پارامترهای موثر بر کاهش توان مصرفی در مدارهای ضرب کننده با استفاده از فناوری ترانزیستورهای CNT

محل انتشار: فصلنامه مهندسی مخابرات جنوب، دوره: 10، شماره: 38
سال انتشار: 1399
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 213

فایل این مقاله در 11 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:
https://civilica.com/doc/1240473

شناسه ملی سند علمی:

JR_JCEJ-10-38_004

تاریخ نمایه سازی: 19 تیر 1400

چکیده مقاله:

در این مقاله، به ارائه یک ضرب کننده آنالوگ چهار ربعی مد جریان جدید برپایه ترانزیستور های نانو لوله کربنی می پردازیم. مدارهای مجذورکننده جریان که اخیرا  طراحی شده است و آینه جریان، که در ولتاژ تغذیه پایین (۱V) کار می کنند، اجزای اساسی در تحقق معادلات ریاضی هستند. در این پژوهش مدار ضرب کننده، با استفاده از فناوری CNTFET  ،۳۲ نانو متر طراحی می شود و برای معتبر ساختن عملکرد مدار، ضرب کننده ارائه شده در شبیه ساز HSPICE شبیه سازی شده است. نتایج حاصل از شبیه سازی نشان می دهد که مدار قابلیت عملکرد مطلوب را تا فرکانس ۲ گیگا هرتز ، مصرف توان ماکزیمم  ۳.۷۴۶۴µw و همچنین دارای THD  ۰.۲۲۶۰۴۳% می باشد.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور نانو لوله کربنی ، ضرب کننده آنالوگ چهار ربعی ، مد جریان ، مدار مجذور کننده جریان

نویسندگان

عبدالرسول مقاتلی

دانشجوی ارشد دانشگاه آزاد واحد بوشهر

حسین مومن زاده

عضو هیات علمی دانشگاه آزاد واحد بوشهر

محمد نادر کاکایی

هیت علمی دانشگاه ازاد واحد بوشهر

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • YK. Seng, SS. Rofail, “Design and analysis ofa ±۱ V ...
  • T. Suzuki, T. Oura, T. Yoneyama, H. Asai, “A new ...
  • K Tanno, O. Ishizuka, Z. Tang, “Four-quadrant CMOS current-mode multiplierindependent ...
  • A. Naderi, A. Khoei, K. Hadidi, H.Ghasemzadeh, “A new high ...
  • A. J. Lopez-Martin, A. Carlosena, “Current-modemultiplier/divider circuits basedon the MOS ...
  • A. J. Lopez-Martin, C.A. De La Cruz Bias, J. Ramirez-Angulo, ...
  • J.Antonio Lopez-Marti, C. A. De La Cruz Blas, J. Ramirez-Angulo, ...
  • F. Pr´egaldiny, J. Baptiste Kammerer , C. Lallement,” Compact Modeling ...
  • L. mao peng , Z. zhang ,s. wang, “Carbon Nanotube ...
  • I. Makwana, V. Sheth, “A Low Power High Bandwidth Four Quadrant ...
  • Y.Bin. Kim, “Integrated Circuit Design Based on Carbon Nanotube Field ...
  • Rodney S.Ruoff, DongQian, WingKam Liu, C.R.Physique, ۴, ۲۰۰۳, ۹۹۳[۱۳] H. ...
  • R.Satio, M. S. Dresselhaus, G. Dresselhaus, “Physical Properties Of Carbon ...
  • J. Peder Dahl, “Introduction to the Quantum World of Atoms ...
  • M.H. Hashiesh, S.A. Mahmoud, A.M.Soliman, “New four-quadrant CMOS currentmode and ...
  • S. Minaei, E.Yuce, “New squarer circuits and a current-mode full-wave ...
  • R.Hidayat, K.Dejhan, P.Moungnoul, Y.Miyanaga, “A GHz simple CMOS squarercircuit, ” ...
  • K.M. Al-Tamimi, M. A.Al-Absi, “An ultra-low power high accuracy current-mode ...
  • S. Wisetphanichkij, N.Singkrajom, M.Kumngern, K.Dejhan, “A low-voltage CMOS current squarer ...
  • M.H. Danesh, E. Mahmoudian, A.Emami Fard ” A new current-mode ...
  • C.A.De La Cruz-Blas, A.J.Lopez-Martin, A.Carlosena, “۱.۵ V four-quadrant CMOS current ...
  • C. Popa, “Improved accuracy current-mode multiplier circuits with applications in ...
  • A.Ravindran, K.Ramarao, E.Vidal, M.Ismail, “Compact low voltage four quadrant CMOS ...
  • P.Prommee, M. Somdunyakanok, M. Kumngern, K. Dejhan, “Single low-supply current-mode ...
  • V. Oliveira, N.Oki, “Low voltage four-quadrant current multiplier: an improved ...
  • N. Beyraghi, A. Khoei, “CMOS design of a low power ...
    • نمایش کامل مراجع