بررسی عددی تاثیر میدان مغناطیسی بر جریان و انتقال حرارت جابجایی نانوسیال در کانال موج دار

یکی از روش های بهره وری و افزایش انتقال حرارت طراحی کانال ها به صورت موج دار است. در این مطالعه جریان به صورت آرام نانوسیال در یک کانال دوبعدی موجی شکل تحت تاثیر میدان مغناطیسی به صورت عددی مورد بررسی قرار گرفته است. آب به عنوان سیال پایه و نانوذره مس به آن اضافه شده است. شار حرارتی ثابت و یکنواخت در دیواره بالایی و پایینی کانال اعمال شده است. معادلات حاکم به روش حجم محدود گسسته سازی می شوند و از روش الگوریتم سیمپل با استفاده از نرم افزار متن باز اپن فوم استفاده شده است. شبکه هندسه مورد نظر در مساله حاضر شبکه با سازمان است. تاثیر منناطیس با مقادیر چهار عدد بی بعد هارتمن ۲۰ ، ۴۰ ، ۶۰ و ۸۰ بر انتقال حرارت جابجایی اجباری بررسی شده است. نتایج نشان می دهد با افزایش عدد هارتمن مقدار عدد ناسلت محلی و متوسط در مسیر جریان افزایش یافته است. برای اعتبار سنجی نتایج در این پژوهش با روش تحلیلی و عددی مقایسه شد که نتایج به دست آمده تطابق و هماهنگی قابل قبولی بین نتایج و داده ها را نشان داد.

کلیدواژه ها:

انتقال حرارت جابجایی ، میدان مغناطیسی ، کانال موج دار ، نانوسیال ، جریان آرام