بهینه کردن خطینگی واثر هارمونیک سوم در تقویت کننده های با گستره بسامدی پهن در تکنولوزی ۱۳۰نانومترCMOS با استفاده از اثربدنه

در این مقاله یک تقویت کننده ی کم نویز فرا پهن باند(تقویت کننده کم نویز اولین بلوک در یک گیرنده مخابراتی پس از آنتن می باشد و نقش آن تقویت سیگنال ضعیف دریافتی توسط آنتن با افزودن حداقل نویز به آن و در نتیجه کاهش حداقلی نسبت سیگنال به نویز (SNR) است ) با استفاده از تکنیک جدید به منظور بهینه کردن خطینگی و اثر هارمونیک مرتبه سوم ارائه شده است. تکنیک حذف اعوجاج مرتبه سوم با استفاده از اثر بدنه ترانزیستور در یک تقویت کننده ی دیفرانسیلی گیت مشترک، انجام شده است و این در حالی است که تقویت کننده بررسی شده نسبت به کار گذشته علاوه بر بهبود IIP۳ توان مصرفی را بهبود داده است. برای شبیه سازی از ابزار Cadence IC Design و از تکنولوژی۱۳۰ نانومتر استفاده شده است. شبیه سازی ها نشان می دهند که مدار به مقدار مینیمم عدد نویز۳/۶۸dBو بهره ۱۹/۵۴dBرسیده است. همچنین مقدار توان مصرفی۹ میلی وات بدست آمده است و این در حالی است که مدار از یک تغذیه ۲/۱ ولتی بهره می برد. همچنینIIP۳ در فرکانس ۶GHzو فاصله ی دو تن ۲۰MHz، ۹/۱dBmبدست آمده است.و همچنن مقدار پارامتر شایستگی۶/۱۱۳میباشد.

کلیدواژه ها:

تقویت کننده کم نویز ، فراپهن باند ، اثربدنه