طراحی و شبیه سازی ترانزیستور TFET دوگیتی سورس گسترده و مدل سازی آن

ترانزیستور TFET دوگیتی سورس گسترده ES-DG-TFET در این مقاله ارائه شده است. پتانسیل سط ح به همراه نسبت جریان بهبود یافته روشن به خاموش به عنوان پارامترهای عملکرد و ارزیابی، تجزیه وتحلیل شده است. تغییر جریان تونل تحت بایاس یکسان هر دو گیت با ضخامت اکسید یکسان بررسی شده است . ناحیه سورس به صورت متقارن در هر دو جهت به منظور افزایش رسانایی ناحیه کانال گسترش یافته است و در مدل پیشنهادی به طور موثری جانمایی شده است. اجرای قابلیت توان پایین و شیب زیر آستانه پایین تر نیز در این مدل ایجاد شده است. نتایج مدل تحلیلی با استفاده ازنرم افزار Silvaco Atlas تایید شده است.

کلیدواژه ها:

توان کم ، ES-DG-TFETشیب زیر آستانه ، مدل تحلیلی ، پتانسیل سطح.