شبیه سازی ناپایداری ولتاژ آستانه (دریفت) در ترانزیستورهای اثر میدانی حساس به یون (ISFET) با گیتAl۲O۳و تصحیح به روش کاشت یون
محل انتشار: فصلنامه عصر برق، دوره: 7، شماره: 13
سال انتشار: 1399
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 248
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_KEEE-7-13_006
تاریخ نمایه سازی: 23 خرداد 1400
چکیده مقاله:
ناپایداری ولتاژ آستانه یا دریفت در یک ترانزیستور اثر میدانی حساس به یون (ISFET) بصورت یک تغییر زمانی یکسویه نسبتا کند در ولتاژ آستانه و در نتیجه در جریان درین پدیدار می شود که در غیاب نوسانات غلظت یون داده در محلول رخ می دهد. در این مقاله ساختار قطعه ISFET و ناپایداری ولتاژ آستانه بر اساس داده های تجربی و با استفاده از یک مدل فیزیکی برای دریفت با نرم افزار سیلواکو شبیه سازی شده است. علاوه بر این کاشت یونی به عنوان روشی برای خنثی کردن ناپایداری در ISFET معرفی شده است. این روش مبتنی بر تنظیم ولتاژ آستانه از طریق میزان کردن چگالی بار در لایه واسط نیمه هادی-عایق با استفاده از کاشت یونی است، چنانکه بار الکتریکی خالص القا شده در نیمرسانا تا حد ممکن خنثی شود. روش پیشنهادی بصورت تحلیلی توجیه شده و بر اساس مشخصه یابی و مدلسازی فیزیکی دریفت در یکISFET حساس به pH با عایق گیتی از جنس اکسیدآلومینیوم ( Al۲O۳) تائید شده است. خنثی سازی دریفت در ISFET با استفاده از کاشت یونی همچنین به کمک شبیه سازیTCADنشان داده شده است.
کلیدواژه ها:
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :