روشی جامع برای مدل کردن و شبیه سازی آرایه های فوتوولتائیک

این مقاله یک روش مدلسازی و شبیه سازی آرایه های فوتوولتائیک را ارائه میدهد. هدف اصلی در اینجا، پیدا کردن پارامترهای معادلات غیرخطی I-V، با تنظیم منحنی در سه نقطه، میباشد: مدار-باز، ماکزیمم توان، اتصال کوتاه. با داشتن این سه نقطه _که توسط همه دیتاشیت های آرایه های تجاری ارائه میشوند_ مدل ارائه شده، بهترین معادلات I-V را برای مدل فوتوولتائیک تک-دیود (PV)، شامل اثر مقاومتهای سری و موازی یافته و تضمین میکند که ماکزیمم توان مدل با ماکزیمم توان آرایه ی واقعی، مطابق باشد. با داشتن پارامترهای معادلات تنظیم شده I-V، میتوان یک مدل مداری PV را با یک شبیه ساز مداری _با استفاده از بلوکهای ساده ریاضی_ ساخت. روش مدل کردن و مدل مداری ارائه شده، برای طراحان الکترونیک قدرتی که به یک روش مدلسازی ساده، سریع، دقیق، و آسان برای بکاربری در شبیه سازی سیستمهای PV نیاز دارند، سودمند میباشد. در صفحات نخست، خواننده با وسایل PV آشنا میشود و پارامترهایی را که مربوط به مدل PV تک-دیود میشوند را درمی یابد.سپس روش مدلسازی معرفی شده و بصورت دقیق ارائه میشود. این مدل برای اطلاعات تجربی آرایه های PV تجاری، معتبر میباشد.

کلیدواژه ها:

فوتوولتائیک ، شبیه سازی.