خطای تک الکترونی در سیم باینری اتوماتای سلولی کوانتومی
محل انتشار: فصلنامه صنایع الکترونیک، دوره: 1، شماره: 3
سال انتشار: 1389
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 235
فایل این مقاله در 12 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_SAIRAN-1-3_002
تاریخ نمایه سازی: 8 خرداد 1400
چکیده مقاله:
اتوماتای سلولی کوانتومی، کی فناوری نوظهور در عرصه نانو فناوری می باشد و پیش بینی میشودکه درصورت رفع مشکلاتی نظیر ساخت، سالهای آینده جایگزینی برای تکنولوژی CMOS باشد.نقص های مختلفی ممکن است در سلول های اتوماتای سلولی کوانتومی حادث شوند. کیی از ایننقص ها، نقص تک الکترونی است که می تواند طی تولید یا عملکرد مدارات اتوماتای سلولی کوانتومیاتفاق افتد و منجر به ایجاد خطا در مدارات مبتنی بر این فناوری شود.بررسی این خطا از این جهتدر مدارات QCA حایز اهمیت است که نوع خطای ایجاد شده در این مدارات، با مدارات CMOSمتفاوت است. مدل سازی این خطا در سطح منطقی برای سیم باینری اتوماتای سلولی کوانتومی دراین مقاله ارائه شده است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مژده مهدوی
گروه الکترونیک، واحد شهرقدس، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران
ستار میرزاکوچکی
دانشیار دانشکده مهندسی برق دانشگاه علم و صنعت ایران
محمد امین امیری
مجتمع برق و کامپیوتر، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، تهران، ایران