طراحی و شبیه سازی تقویت کننده های توزیع شده شبه تفاضلی آبشاری به منظور افزایش بهره در پهنای باند

تقویت کننده توزیع شده شبه تفاضلی (PDDA) یک روش مناسب برای افزایش پهنای باند در یک تقویت کننده باند پهن می باشد. در این مقاله روش های افزایش بهره PDDA توسط روش های آبشاری و حصول تقویت کننده توزیع شده شبه تفاضلی آبشاری (CPDDA)در طرح های مختلف، با شرط توان و سطح تراشه ثابت، پیشنهاد شده که انتخاب طرح بهینه وابسته به پارامتر gmRo سلول های بهره (PDA) است. جهت بررسی عملکردی و مقایسه طرح ها، مدارات پیشنهادی در تکنولوژی RF_CMOS_ ۰.۱۸µm طراحی و در نرم افزار کیدنس شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهند که در این تکنولوژی، برای به دست آوردن پهنای باند ۰-۴۰GHzکه نیاز به gmهای پایین ترانزیستورهای سلول بهره PDA است، تقویت کننده با ساختار دو PDDA سه طبقه بهتر از ساختار سه PDDA دو طبقه عمل کرده و با آن می توان به بهره ۱۰dB دست یافت. در این تقویت کننده پارامترهای S۱۱,S۲۲,S۱۲ نیز به ترتیب -۱۲,-۱۰,-۱۶ dB بوده و عدد نویز برابر ۴.۶dB و P۱dB برابر +۳.۵dBm می باشد. این تقویت کننده دارای توان مصرفی ۲۳۰mW است و سطح تراشه ۰.۶۳mm۲ می باشد. مقایسه این تقویت کننده با کارهای انجام شده قبلی، گواه عملکرد و کارایی مطلوب این تقویت کننده در کاربردهای باند پهن می باشد.

کلیدواژه ها:

تقویت کننده باند پهن ، تقویت کننده توزیع شده ، تقویت کننده توزیع شده شبه تفاضلی آبشاری ، پهنای باند ، پارامترهای پراکندگی