ساخت ادوات نیمه هادی توسط گالیوم آرسناید

سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 6,224

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ISCEE14_038

تاریخ نمایه سازی: 31 مرداد 1390

چکیده مقاله:

ازمدتها پیش این تصور وجود داشت که در آینده سازندگان مدارمجتمع برای ساخت تراشها به جای استفاده از سیلیکون به سوی استفاده از ترکیب جدیدی به نام گالیوم آرسناید کشیده خواهند شد با توجه به درخشش سریع و کیفیت بسیار عالی انتظار می رفت که یک تحول عظیم در صنعت کامپیوتر رخ دهد اما دراین مورد هنوز کاملا به وقوع نپیوسته است تراشه های سیلیکونی همچنان حاکم بر صنایع الکترونیک هستند اما گالیوم ارسناید تا به امروز توانسته است در بازارهای نظامی و صنایع مخابراتی راه دور کاربرد وسیعی پیدا نماید و انتظار می رود که این کاربرد روز به روز همه گیرتر شود با توجه به توسعه روزافزون گالیوم ارسناید بجا است تا مروری بر این صنعت عظیم داشته باشیم.

کلیدواژه ها:

رشد کریستالی ، مواد با مقیاس نانو ، TEM

نویسندگان

سمن محمدی محقق

دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق الکترونیک تهران مرکز

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • S. C _ Lee, D .L.Huffaker, and S _ R. ...
  • F Romanato, L Businaro, E Di Fabrizio, A Pas _ ...
  • _ _ _ in Rapidly ...
  • R. Szweda, Gallium Arseni de, Electronics Materials and Devices.A strategic ...
  • Sorab K.Ghandhi , VLSI Fabrication principles :Silicon and Gallium Arsenide, ...
  • نمایش کامل مراجع