جفت‎شدگی غیرخطی دو نانوسیم پلاسمونیکی جفت شده با حضور اثر کر و جذب دوفوتونی در مد های TM۰۰ و TM۱۰

برهم کنش غیر خطی نانوسیم­های پلاسمونیکی از موضوعات مهم در مدارات مجتمع اپتیکی است. در این مقاله به بررسی اثرات جفت‎شدگی غیرخطی برای دو مد TM۰۰ و TM۱۰ در دامنه‎های مختلف بر روی دو نانوسیم پلاسمونیکی از جنس نقره در حضور اثر کر و حالتی دیگر که محیط علاوه بر اثر کر اثر جذب دوفوتونی نیز دارد، می­پردازیم. نتایج نشان می­دهد که اثرات غیرخطی با حضور اثر جذب دوفوتونی در دامنه‎های ورودی خیلی پایین تری نسبت به اثر کر ظاهر می‎ ‎شود. اثر کر در شدت های بسیار بالاتری نسبت به اثر جذب دوفوتونی رخ می­دهد و اثرات اپتیکی غیرخطی موجب کاهش جابه جایی موج پلاسمونیکی بین دو موجبر نانوسیم می‎شود. مقادیر طول جفت­شدگی (Lc)- که این طول کمترین مسافتی است که طی آن در محیط جابه جایی موج بین دو نانوسیم صد در صد است- در مد TM۰۰ کمتر از مد  TM۱۰ است. همچنین نتایح نشان می­دهد که افزایش شدت در یک طول جفت شدگی به ازای دامنه میدان های اولیه مختلف منجر به افزایش راندمان جفت شدگی می‎شود.

کلیدواژه ها:

اثر جذب دو فوتونی ، اثر کر ، نانوسیم ، جفت شدگی غیر خطی