بررسی اثر زمان استراحت بر فرآیند الکتروانباشت آرایه های نانوسیم CoCr درون قالب آلومینا آندی متخلخل

در پژوهش پیشرو به منظور بررسی اثر زمان استراحت بر فرآیند الکتروانباشت پالس تناوبی، آرایه های نانوسیمCoCr با زمان استراحت صفر و ۵۰ میلی ثانیه درون نانوحفره های قالب آلومینا آندایز شده به روش نرم رشد دادهشدهاند. خواص ریزساختاری نانوسیم های تهیه شده با استفاده از آزمون پراش پرتو ایکس (XRD) و تصاویرمیکروسکوپی الکترونی روبشی گسیل میدانی (FESEM) و خواص مغناطیسی از طریق مغناطیس سنج نمونهارتعاشی (VSM) مورد ارزیابی قرار گرفته است. ساختار منظم و شش گوشی قالب آلومینا متخلخل جهت انباشتبا قطر و طول تقریبی، به ترتیب ۳۰ نانومتر و ۲۴ میکرومتر و همچنین انباشت نانوسیم ها به وسیله تصاویرمیکروسکوپی الکترونی روبشی تایید شده اند. بررسی های انجام شده از حلقه های پسماند مغناطیسی حاکی از آناست که با افزایش زمان استراحت، خواص مغناطیسی نیز افزایش پیدا کرده است. این روند افزایشی را می توان بهشدت گرفتن پیک های کبالت و کروم در طیفه ای پراش اشعه ایکس نمونه ساخته شده با زمان استراحت ۵۰میلی ثانیه نسبت داد. زیرا افزایش شدت پیک، نشان از افزایش انباشت مقدار عنصری بوده بنابراین مقدار مغناطشنیز افزایش یافته است.

کلیدواژه ها:

الکتروانباشت پالس تناوبی ، نانوسیم CoCr ، آندایز نرم ، قالب آلومینا متخلخل