ارزیابی اثر دمای لایه سدی بر خواص مغناطیسی و خواص ساختاری آرایه نانوسیم های آهن خالص ساخته شده به روش الکتروانباشت پالس تناوبی

در تحقیق حاضر، اثر دمای لایه سدی بر خواص مغناطیسی و خواص ساختاری آرایه نانوسیم های آهن خالصساخته شده به روش الکتروانباشت پالس تناوبی مورد ارزیابی قرار گرفت. در ابتدا قالب های اکسید آلومینیوم آندیتوسط فرآیند آندایز نرم دومرحله ای ساخته شده و سپس نانوسیم های آهن خالص با کنترل دمای لایه سدی درمقادیر ۸ و ۳۰˚C و به روش الکتروانباشت پالس تناوبی، در این قالبها انباشت شدند. خواص نمونه های ساختهشده توسط میکروسکپ الکترونی روبشی گسیل میدانی، پراش سنج پرتوی ایکس (XRD) و مغناطیس سنج نمونهارتعاشی (VSM) مورد بررسی قرار گرفت. تصاویر میکروسکپی الکترونی روبشی، تایید کننده ساخت قالبآلومینا با حفرات دارای نظم بالا با قطر و فاصله بین حفرهای به ترتیب برابر با ۳۰ و ۱۰۰ نانومتر و طول تقریبی ۲۰میکرومتر بود. حلقه های پسماند مغناطیسی اندازه گیری شده نشان داد که کنترل دمای لایه سدی در مقدار۸˚Cتغییری در وادارندگی نانوسیم های آهن ایجاد نکرده در حالی که افزایش گشتاور مغناطیسی را به دنبال داشتهاست. طیف پراش اشعه ایکس نانوسیم های ساخته شده با دمای لایه سدی ۸˚C افزایش شدت پیک مربوط بهصفحات (۱۱۰) ساختار bcc آهن را نشان داد. افزایش شدت پیک مرجح، ناشی از افزایش مقدار مادهی انباشتشده در نانوحفره های قالب آلومینای متخلخل در اثر کنترل دمای لایه سدی بوده است.

کلیدواژه ها:

الکتروانباشت شیمیایی ، نانوسیم ، قالب آلومینای متخلخل ، آندایزینگ