طراحی تقویت کننده کم نویز فرا پهن باند جهت کاربرد در گاورنرهای الکترونیکی

در این مقاله، یک تقویت کننده کم نویز برای باند فرکانسی GHz و ۳/۱-۱۰/۶ جهت استفاده در گیرنده های فوق پهن باند ارائه شده است. در مدار این تقویت کننده توپولوژی های کسکود با تطبیق ورودی اصلاح شده استفاده شده است، که نتایج مهم آن شامل بهره ی ولتاژ ماکزیمم Db ۱۱/۵، نویز فیگر کوچک تر از dB۴ و توان مصرفی mW و ۷/۶۳ تحت منبع ولتاژ ۰/۷ ولت در باند فوق پهن باند. تکنیک پوش-پول اصلاح شده، همراه با تکنیک Self-body bias این امکان را فراهم آورده است که ولتاژ تغذیه مدار به مقدار ۰/۷ ولت کاهش یابد. همچنین تطبیق ورودی تقویت کننده کم نویز پیشنهادی کمتر از dB -۱۰ می باشد. ضریب پایداری نیز عددی بزرگ تر از ۱/۳ را در سرتاسر پهنای باند نشان می دهد. تقویت کننده ی کم نویز ارائه شده با استفاده از تکنولوژی nm ۱۸۰ TSMC طراحی شده است.

کلیدواژه ها:

تطبیق ورودی ، تقویت کننده کم نویز ، ضریب پایداری ، فوق پهن باند ، نویز