اثر تغییر موقعیت دیواره گرم و افزایش دامنه و تعداد نوسان دیواره موج دار بر انتقال حرارت جابجایی اجباری نانوسیال درون کانال در حضور میدان مغناطیسی

چکیده در مقاله حاضر، اثر تغییر موقعیت منبع حرارتی بر انتقال حرارت نانوسیال تحت تاثیر میدان مغناطیسی درون کانال موجدار با دامنه و تعداد نوسان متغیر، به روش شبکه بولتزمن بررسی شده است. میدان مغناطیسی یکنواخت، عمود بر کانال اعمال شده است. نیمه ابتدایی دیواره بالایی کانال، موجی شکل با دامنه و تعداد نوسان متغیر در دمای ثابت سرد و نیمی از دیواره پایینی کانال با موقعیت متغیر، در دمای ثابت گرم قرار دارد. سایر دیوارهها نسبت به جرم و حرارت عایق شدهاند. در این بررسی تاثیر پارامترهایی چون عدد رینولدز، کسر حجمی نانوذرات، عدد هارتمن، موقعیت قرارگیری دیواره گرم و دامنه و تعداد نوسان دیواره موجدار، مورد ارزیابی قرار گرفته است. نتایج نشان میدهند که در یک موقعیت مشخص قرارگیری دیواره گرم، با افزایش سایر پارامترها ، عدد ناسلت متوسط افزایش مییابد. همچنین بیشترین میزان انتقال حرارت مربوط به حالتی است که دیواره گرم به ورودی کانال نزدیکتر است که به طور متوسط منجر به افزایش ۲۰ درصدی عدد ناسلت متوسط میشود. بعلاوه تاثیر افزایش عدد هارتمن بر میزان انتقال حرارت، در حالتی که دیواره گرم به خروجی کانال نزدیکتر باشد، بیشتر است. افزایش درصد نانوذره، انتقال حرارت را افزایش میدهد و این تاثیر با کاهش عدد رینولدز، افزایش مییابد.

کلیدواژه ها:

روش شبکه بولتزمن ، نانوسیال ، میدان مغناطیسی ، کانال موجی ، تغییر موقعیت دیواره گرم