ساخت و بررسی ویژگیهای فوتو کاتدCsI مورد استفاده در PMT ها و پنل های خورشیدی
سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,009
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICREDG01_042
تاریخ نمایه سازی: 30 خرداد 1390
چکیده مقاله:
در این تحقیق یک لایه از بلورCs-Iبا ضخامتnm500 بر روی یک زیر لایه آلومینیومی که به صورت مقعر ساخته شده است، لایه نشانی شد. این لایه نشانی با استفاده از روش تبخیر بخار فیزیکی انجام گرفت. علاوه بر زیر لایه آلومینیومی یک لام شیشه ای نیز برای انجام آزمایش های جانبی از قبیلXRDلایه نشانی شد. در طیفXRD انجام شده قله موجود در زاویه q2 = 28می باشد که دارای بیشینه شدت می باشد. این قله بیان گر تک بلور بودن پوششCs-Iاست. به عبارت دیگر طی فرآیند لایه نشانی خواص فیزیکی و شیمیایی پوشش تغییر نیافته و فاز آمورف تشکیل نشده است بنابراین می توان از پوشش ایجاد شدهCs-I روی بستر آلومینیومی به عنوان فوتوکاتد جهت تولید فوتو الکترون استفاده نمود. زیر لایه تا دمای 60 درجه گرم شد. برای اندازهگیری آهنگ الکترونهای ثانویه گسیل شده از فوتوکاتدآماده شده، مجموعه شامل، محفظه خلأ با فشارmbar 10 -6 نانوآمپرمتر، توری، فوتودایودها و دیگر وسائل موردنیاز میباشد. جریان فوتوالکترونهای بازتابی از روی فوتوکاتدCs-I برای سه طیف مختلف نورهای قرمز، سبز و آبی مایل به بنفش که از چشمههایLED تولید شده، اندازهگیری شدهاست. مشاهده میشود که برای رنگ آبی مایل به بنفش در 800 ولت، جریان فوتوکاتد به 100نانوآمپر میرسد. عدم قطعیت و خطاها از چشمههای مختلف کمتر از 25 درصد نیست
کلیدواژه ها:
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :