مدل سازی و تحلیل متغیرحالت یک مقاومت حافظه دار برای ورودی های شیب و پله واحد

مقاومت حافظه دار (ممریستور) عنصری الکتریکی است که منحنی مشخصه جریان و ولتاژ آن غیر خطی و دارای حالت پس ماند است. برای مقاومت حافظه دار در این مقاله از مدل ریاضی - فیزیکی VTEAM استفاده شده است. بخش فیزیکی مدل بکار رفته در این مقاله شامل یک لایه ورقه نازک به ضخامت ده نانو متر از ماده دی اکسید تیتانیوم می باشد. این ضخامت را طول مقاومت حافظه دار می نامیم. متغير حالت در مقاومت حافظه دار، طول یک بعدی فیزیکی ناحیه با مقاومت کم را نشان می دهد که به ولتاژ ورودی وابسته است و با واحد نانومتر سنجیده می شود. نوآوری این مقاله، مدل سازی و تحلیل متغير حالت مقاومت حافظه دار برای ورودی های شیب و پله واحد با پیاده سازی در محیط متلب /سیمولینک است. از ولتاژهای ورودی شیب و پله واحد تا دامنه ولتاژ یک ولت و زمان شبیه سازی یک ثانیه با تابع پنجره ثابت، درمحیط شبیه سازی متلب اسیمولینک استفاده شده است. مشاهده می شود که به ازاء ورودی شیب واحد، متغير حالت به فرم هموگرافیک تغییر می کند و سرعت تغییرات زمانی متغیرحالت برای ورودی شيب واحد چهار برابر ورودی پله واحد می باشد.

کلیدواژه ها:

مقاومت حافظه دار ، ممریستور ، متغیر حالت ، تابع پنجره ثابت ، شبیه سازی ، VTEAM.