طراحی تقویت کننده کم نویز با خطی سازی بالا برای کاربردهای باند باریک

سال انتشار: 1399
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 342

فایل این مقاله در 16 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

EEICONF01_040

تاریخ نمایه سازی: 3 اسفند 1399

چکیده مقاله:

در این مقاله نحوی طراحی یک تقویت کننده کم تويز (LNA) با استفاده از توپولوژی کسکد و پوش پول با توجه به محدودیت های بنیادی توپولوژی بکار رفته برای دست یافتن همزمان به تطبیق ورودی و عدد نویز بهینه و خطی سازی بالا پرداخته شده است. برای دست یافتن همزمان به تطبيق ورودی عدد نویز بهینه از تکنیک فیدبک سری و موازی با قرار دادن سلف در ترمینال های گیت و سورس ترانزیستور ورودی استفاده شده است . این تکنیک باعث افزایش توان مصرفی و فرکانس کاری می شود. برای کاهش توان مصرفی بایستی سلف موجود در سورس را افزایش داده و ترانزیستور ورودی را کوچکتر نمود که این عمل باعث می شود تا عدد نویز افزایش یافته و تطبیق ورودی خراب شود. برای اینکه سلف موجود در سورس کوچک بماند و همچنین توان مصرفی کاهش یابد با کوچک نمودن ترانزیستور ورودی یک خازن اضافی بین ترمینال های گیت و سورس ترانزیستور ورودی قرار داده می شود. برای بهبود خطی سازی از تکنیک مکمل جمع آثار مشتق استفاده شده است که باعث شده است تا به IP2وIIP3 به ترتیب ۴۴dBm و۱۶dBm دست یابد. در شبیه سازی انجام شده از تکنولوژی TSMC 0. 18um RF - CMOSاستفاده شده است. بطوری به بهره ۲۲dB وعدد نویز ۲٫9dB وتطبيق ورودی کمتر از 17dB- با توان مصرفی ۵mw۱ دست یافته است.

کلیدواژه ها:

CMOS ، تقویت کننده کم نویز LNA ، توان مصرفی کم ، ولتاژ کم ، بهینه سازی نویز وخطی سازی بالا

نویسندگان

مصطفی چهری

دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد سنندج

سعید روشنی

گروه مهندسی برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمانشاه