ارائه ساختاری جهت شبیه سازی یک ترانزیستور دوقطبی ( bipolar )بر اساس کاشت یونی آرسنیک
محل انتشار: کنفرانس ملی صنعت برق و الکترونیک
سال انتشار: 1399
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 463
فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
EEICONF01_003
تاریخ نمایه سازی: 3 اسفند 1399
چکیده مقاله:
کاشت بون یکی از مهمترین روش نفوذ ناخالصی به درون ويفر در صنایع قطعه سازی الکترونیک و میکروالکترونیک است و نسبت به روش دیگر (نفوذ) مزایای بسیاری را دارد و کاشت یون فرآیندی در مهندسی است که در آن یون های برخی مواد را می توان در ماده ای دیگر کاشت و ویژگی های فیزیکی آن ماده را تغییر داد و یک فناوری قوی و دقیق در ساخت آی سی های مهم و پیشرفته است. در این مقاله یک ساختار جدیدی برای ترانزیستورهای دو قطبی ارائه می شود که ناحیه امیتر و بیس با استفاده از کاشت یونی آرسنیک ایجاد می شوند. شبیه سازی ها نشان می دهد ترانزیستور ارائه شده می تواند جایگزین بسیار خوبی برای ترانزیستورهای دوقطبی متداول باشد.
کلیدواژه ها:
ترانزیستور دوقطبی - کاشت یون - نفوذ
نویسندگان
عبدالکریم جعفرخراطی
خوزستان، دزفول گروه مهندسی برق دانشگاه علم و صنعت ایران، تهران، ایران