مهندسی گاف انرژی نانوسیم کربنی اشباع شده و مطالعه تأثیرات آلائیدگی با مولکول آمونیاک به کمک محاسبات آغازین (Ab initio)
محل انتشار: مجله پژوهش فیزیک ایران، دوره: 19، شماره: 2
سال انتشار: 1398
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 314
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_PSI-19-2_001
تاریخ نمایه سازی: 3 اسفند 1399
چکیده مقاله:
در این مقاله تأثیرات اندازه و جهت‌گیری رشد و همچنین تأثیر آلائیدگی با مولکول آمونیاک (NH3)، بر خواص الکترونی نانوسیم کربنی با ساختار الماسی اشباع شده با هیدروژن (DNw:H) بررسی شده است. این بررسی به روش نظریه تابعی چگالی (DFT) و حل معادله کوهن- شم با رهیافت میدان خودسازگار (SCF) و با در نظر گرفتن تقریب چگالی موضعی (LDA) انجام گرفت. ریخت‌شناسی نانوسیم‌ها از نوع استوانه‌ای با جهت‌گیری رشد [111] و سطح جانبی آنها توسط اتم‌های هیدروژن، اشباع شده است. نتایج محاسبات نشان می‌دهد گاف نواری این نانوسیم‌ها به علت بالا بودن نسبت سطح به حجم و به وجود آمدن تراز‌های سطحی، از گاف الماس انبوهه، کوچک‌تر است. نتایج محاسبات ناشی از آلائیدگی مولکول آمونیاک با یکی از اتم‌های کربن سطح جانبی نانوسیم الماس اشباع شده با هیدروژن در جهت [100]، منجر به کاهش گاف نواری شد به گونه‌ای که نانوسیم به یک نیم‌رسانای نوع n تبدیل شد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
فرح مرصوصی
گروه فیزیک، دانشکده مهندسی انرژی و فیزیک، دانشگاه صنعتی امیرکبیر، تهران
سیدمصطفی منوری
گروه فیزیک، دانشکده مهندسی انرژی و فیزیک، دانشگاه صنعتی امیرکبیر، تهران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :