خواص الکترونیکی و نوری نانو ساختار نوین دی سولفید ژرمانیوم به روش نظریة تابع چگالی
محل انتشار: مجله پژوهش فیزیک ایران، دوره: 20، شماره: 2
سال انتشار: 1399
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 526
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_PSI-20-2_008
تاریخ نمایه سازی: 3 اسفند 1399
چکیده مقاله:
با استفاده از نظریة تابع چگالی بر پایة محاسبات اولیه، در این مقاله نانو ساختار جدید دی سولفید ژرمانیوم (GeS2) معرفی می‌شود. محاسبة انرژی همبستگی نشان می‌دهد که ساختار پیشنهادی از پایداری ترمودینامیکی خوبی برخوردار است. همچنین محاسبۀ نمودار پاشندگی فونونی به وسیلة نرم‌افزار کوانتوم اسپرسو، پایداری دینامیکی این ترکیب را تأیید می‌کند. نتایج محاسبات نشان می‌دهد که دی سولفید ژرمانیوم، یک نیمرسانا با گاف انرژی غیر مستقیم حدود 9/0 الکترون ولت است که با اعمال تنش و کرنش دو محوره قابل تنظیم است. محاسبات نوری نشان می‌دهد که نانو ساختار پیشنهادی در ناحیۀ مرئی در برابر تابش فرودی، میزان جذب و بازتاب بسیار کمی را از خود نشان می‌دهد، این در حالی است که این ماده در ناحیة فرابنفش موج الکترومغناطیسی نه‌تنها جاذب خوبی است، بلکه بازتابش نسبتاً بالایی هم دارد. این خاصیت مبین آن است که این نانو ساختار می‌تواند در ساخت ابزارهای نوری و به طور خاص در ساخت حفاظ نور فرابنفش مورد استفاده قرار گیرد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
حمیدرضا البرزنیا
۱. گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمانشاه، کرمانشاه ۲. گروه فیزیک، مرکز علوم پایه، دانشگاه پدافند هوایی خاتمالانبیا (ص)، تهران
سیدتقی محمدی
۲. گروه فیزیک، مرکز علوم پایه، دانشگاه پدافند هوایی خاتمالانبیا (ص)، تهران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :