اثر آلاییدگی ناخالصی گالیم و ایندیم بر انرژی اورباخ نانوساختار اکسیدروی

در این مطالعه، انرژی اورباخ نانوساختار اکسیدروی و آلاییده با گالیم و ایندیم که به روش سل-ژل سنتز شدند، مورد بررسی قرار می گیرد. اکســید روی (ZnO) با گالیم(GZ2%) %2 و ایندیم (IZ2%) %2 آلاییده شــده اســت. جذب اپتیکی نمونه ها بو سیله آزمون طیف سنجی مرئی-فرابنفش (UV-vis) اندازه گیری شد. انرژی اورباخ نمونه ها با آنالیز طیف جذبی محا سبه شــد. نتایج نشــان دادند که با افزودن ناخالصــی ایندیم و گالیم، انرژی اورباخ اکســید روی کاهش یافته و به ترتیب 0/2 و 0/4 الکترون ولت شده اند.