اثر آلاییدگی ناخالصی گالیم و ایندیم بر انرژی اورباخ نانوساختار اکسیدروی
محل انتشار: اولین همایش بین المللی علوم و فناوری نانو
سال انتشار: 1399
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 538
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICNNA01_198
تاریخ نمایه سازی: 21 دی 1399
چکیده مقاله:
در این مطالعه، انرژی اورباخ نانوساختار اکسیدروی و آلاییده با گالیم و ایندیم که به روش سل-ژل سنتز شدند، مورد بررسی قرار می گیرد. اکســید روی (ZnO) با گالیم(GZ2%) %2 و ایندیم (IZ2%) %2 آلاییده شــده اســت. جذب اپتیکی نمونه ها بو سیله آزمون طیف سنجی مرئی-فرابنفش (UV-vis) اندازه گیری شد. انرژی اورباخ نمونه ها با آنالیز طیف جذبی محا سبه شــد. نتایج نشــان دادند که با افزودن ناخالصــی ایندیم و گالیم، انرژی اورباخ اکســید روی کاهش یافته و به ترتیب 0/2 و 0/4 الکترون ولت شده اند.
نویسندگان
خاطره سالاری
گروه فیزیک حالت جامد، دانشگاه مازندران ، بابلسر
حسین میلانی مقدم
گروه فیزیک حالت جامد، دانشگاه مازندران ، بابلسر