بهینه سازی مشخصه های الكتریكی ترانزیستور دو گیتی بدون پیوند با بایاس گیت نامتقارن در ابعاد نانو
سال انتشار: 1399
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 419
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ECMCONF04_030
تاریخ نمایه سازی: 6 دی 1399
چکیده مقاله:
در اين مقاله، مشخصه هاي الكتريكي ترانزيستور دو گيتي بدون پيوند با باياس گيت نامتقارن و باياس گيت متقارن مورد بررسي قرار گرفته است. در ترانزيستور بدون پيوند با باياس متقارن گيت بالا و گيت پايين داراي ولتاژ مثبت برابري هستند. اين در حالي است كه در ترانزيستور با باياس گيت نامتقارن، گيت بالا داراي ولتاژ مثبت و گيت پايين داراي ولتاژ منفي است. با افزايش باياس منفي گيت، جريان حالت خاموش كاهش يافته و منجر به افزايش نسبت جريان روشن به خاموش ميگردد. اثر تابع كار گيت بر مشخصه الكتريكي ترانزيستور مورد بررسي قرار گرفته است و بر اين اساس، با افزايشتابع كار گيت، مقدار ولتاژ منفي گيت پايين كاهش مي يابد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
علی اصغر صادقی
کارشناسی ارشد الکترونیک، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام خمینی (ره) شهر ری
زهرا آهنگری
استادیار، گروه الکترونیک، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام خمینی (ره) شهر ری.