ورود
مقالات فارسیISIکنفرانسهاژورنالها

Design of High Frequency Single and Double Gate Laterally-Contacted InGaAs/InAlAs HEMTs

محل انتشار: مجله نوآوری های مهندسی برق و کامپیوتر، دوره: 7، شماره: 2
سال انتشار: 1398
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 214

فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:
https://civilica.com/doc/1124617

شناسه ملی سند علمی:

JR_JECEI-7-2_003

تاریخ نمایه سازی: 5 آذر 1399

چکیده مقاله:

-

کلیدواژه ها:

HEMT ، lateral contacts ، double gate ، cut-off frequency

نویسندگان

- -

Department of Electrical and Electronic Engineering, Shiraz University of Technology, Shiraz, Iran

- -

Department of Electrical and Electronic Engineering, Shiraz University of Technology, Shiraz, Iran

- -

Department of Electrical and Electronic Engineering, Shiraz University of Technology, Shiraz, Iran

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • [1] J.-H. Tsai, P.-S. Lin, Y.-C. Chen, S.-H. Liou, J.-S. ...
  • [2] Y.-S. Lin, B.-Y. Chen, "Effects of surface passivation and ...
  • [3] F. Schwierz, J. J. Liou, "Semiconductor devices for RF ...
  • [4] T. Enoki, M. Tomizawa, Y. Umeda, Y. Ishii, "0.05-µ ...
  • [5] S. Zafar, A. Kashif, S. Hussain, N. Akhtar, N. ...
  • [6] R. Gupta, S. Rathi, M. Gupta, R. Gupta, "Microwave ...
  • [7] G. Galiev et al., "Structural and electrical properties of ...
  • [8] V. Kulbachinskii et al., "Experimental determination of the electron ...
  • [9] I. S. Vasil’evskiĭ et al., "Electrical and structural properties ...
  • [10] N. Maeda, H. Ito, T. Enoki, Y. Ishii, "Dependence ...
  • [11] M. Sexl et al., "MBE growth of double-sided doped ...
  • [12] T. Takahashi et al., "Enhancement of fmax to 910 ...
  • [13] T. Takahashi et al., "Maximum frequency of oscillation of ...
  • [14] C. D. Vazquez-Colon, D. C. Look, H. Eric, J. ...
  • [15] M. Hou, G. Xie, K. Sheng, "Improved Device Performance ...
  • [16] S. P. Kurochka, M. V. Stepushkin, V. I. Borisov, ...
  • [17] M. Asif, C. Chen, D. Peng, W. Xi, J. ...
  • [18] B. Sun, H. Chang, S. Wang, J. Niu, H. ...
  • [19] M. Karbalaei, D. Dideban, N. Moezi, "Improvement of Tunnel ...
  • [20] I. Bahl, Fundamentals of RF and Microwave Transistor Amplifiers. ...
  • [21] N. Wichmann, I. Duszynski, S. Bollaert, J. Mateos, X. ...
  • [22] G. H. Jessen et al., "Short-channel effect limitations on ...
  • [23] P. S. Park, S. Rajan, "Simulation of short-channel effects ...
  • [24] Y. Yamashita et al., "Pseudomorphic In0. 52 Al0. 48 ...
    • نمایش کامل مراجع