روش جدید تعیین ویژگی های الکتریکی دیود نیمه هادی در بایاس مستقیم

روش غیرمخرب جدید برای تعیین ویژگی های دیود نیمه هادی با استفاده از اندازه گیری AV (هدایت ظاهری – ولتاژ) در تمایل رو به جلو (بایاس) ارائه شده است. برای این روش ، بخش خیالی و واقعی به صورت همزمان مورد توجه قرار گرفته اند تا پارامترهای دقیق دیود مانند مقاومت سری ، ظرفیت اتصال ، ولتاژ اتصال و عامل ایده آل در بایاس های رو به جلوی گوناگون مشخص شود. همچنین می توان از این روش برای تشخیص و اندازه گیری های لایة سطح مشترک در دیود واقعی استفاده نمود. با این روش ، دیودهای شاتکلی NGAN با تماس اهمی گوناگون مورد بررسی قرار گرفته اند. اندازه گیری ها نشان می دهند که ظرفیت منفی عمدة دیودهای شاتکلی شامل تأثیر اتصال بر لایة سطح مشترک را می توان به عنوان ساختار لایه با مقاومت غیرخطی و ظرفیت به حساب آورد.

کلیدواژه ها:

دیود نیمه هادی ، بایاس مستقیم ، ظرفیت منفی ، لایة سطح مشترک ، GAN ، هدایت ظاهری